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2025-07-05 09:20:16
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电网打造（e）在不同栅极电压下的突触响应行为。津市（c）巴浦洛夫的狗条件反射实验仿生结果。
（h）调节铁电极性控制石墨烯导电载流子类型，签署实现具有空穴或电子导电互补作用的突触。战略（f）MoS2光电异源突触的高通和低通滤波器功能的示意图。合作（c）通过施加0.15V的脉冲和0.6s的重复间隔来模拟长期可塑性。
图六、框架基于MoTe2结构相变的忆阻行为（a）垂直TMD器件的示意图以及光学和SEM图像，其中Ti/Ni、Ti/Au和SiO2薄膜分别用作顶部电极、底部电极和隔离层。协议先锋（c）光学模拟STDP的两个BP突触器件的示意图。
城市（c）通过CVD直接合成的金属过渡金属二卤化物（m-TMDs）和半导体TMD（s-TMDs）之间的范德华阵列。
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